三代像增强器

三代像增强器在1980s出现，内部结构与二代像增强器基本一致，内置光阴极、微通道板MCP、荧光屏。但光阴极采用GaAs或GaAsP材料，代替了多碱金属材料, GaAs或GaAsP相比多碱金属S20和S25量子效率得到大幅提高。基于高量子效率光阴极的三代像增强器相比二代像增强器信噪比SNR更高，且原始光信号丢失减少，更利于弱光成像。

光阴极量子效率